Санкт-Петербург, Политехническая ул., д. 29, Г.З., оф.234, общий отдел:  920-01-97, вакуумное оборудование: 920-71-97

Bi Si ОКСИД( BI12SIO20 )
Bi Ge ОКСИД( BI12GEO20 )
Bi Ti ОКСИД( BI12TIO20 )

Монокристаллы с силленитной структурой, Bi12MO20 (M=Si, Ge, Ti) обладают удачной комбинацией электро-оптических, акустико-оптических и пьезоэлектрических свойств и благдаря этому являются перспективными материалами для оптоэлектроники.

Различные методики получения тонко-плёночных структур на основе силленит оксидов обеспечивают возможность создания большого количества приборов, в том числе интегрально-оптических устройств.

Сильная спектральная зависимость фотопроводящих свойств этих кристаллов и их электро-оптические характеристики делают возможной разработку широкого спектра устройств, таких как пространственные модуляторы света, устройства для записи голографических изображений, устройства сопряжения по фазе, фоторефрактивные преобразователи некогеретного излучения в когерентное.

Относительно большой электро-оптический эффект силленит оксидов позволяет использовать их в оптоволоконных детекторах электрического поля с высокой термостабильностью.

Свойства Материалов:

Материал

BSO

BGO

BTO

Химическая Формула

Bi12SiO20

Bi12GeO20

Bi12TiO20

Кристаллическая Структура

Кристаллографическая Система: кубическая
Точечная Группа: 23

Параметры Кристаллической Решётки, Å

10.104

10.145

10.175

Плотность, г/см3

9.14

9.2

9.2

Твёрдость по шкале Мооса

6

5

5

Температура Плавления, °C

884

925

840

Диапазон Прозрачности, µm

0.4 - 6

0.4 - 7

0.5 - 6